SAMSUNG製 SSD 990 EVO MZ-V9E2T0B-IT 2TB：オンラインショップ エクセラー
商品説明
SAMSUNG製 SSD 990 EVO MZ-V9E2T0B-IT 2TB
■型番■
990 EVO MZ-V9E2T0B-IT
■仕様■
[スペック]
容量 2000 GB
規格サイズ M.2 (Type2280)
インターフェイス PCI-Express Gen4
タイプ V-NAND TLC
設置タイプ 内蔵
NVMe ○
厚さ 2.38 mm
[パフォーマンス]
読込速度 5000 MB/s
書込速度 4200 MB/s
ランダム読込速度 ランダム(QD1 Thread1)読み出し：20000 IOPS/ランダム(QD32 Thread16)読み出し：700000 IOPS
ランダム書込速度 ランダム(QD1 Thread1)書き込み：90000 IOPS/ランダム(QD32 Thread16)書き込み：800000 IOPS
[耐久性]
MTBF(平均故障間隔) 150万時間
TBW 1200 TBW
DWPD 0.32
■商品状態■
新品未開封
■商品情報URL■
サムスン(SAMSUNG)
■その他■
※商品の画像はイメージです。
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商品詳細
| メーカー | サムスン | 商品名 | SAMSUNG製 SSD 990 EVO MZ-V9E2T0B-IT 2TB |
|---|---|---|---|
| 商品コード | 0001000028788 | SKUコード | 0001000028788 |
スペック
| スペック | |||
|---|---|---|---|
| 容量 | 2000 GB | 規格サイズ | M.2 (Type2280) |
| インターフェイス | PCI-Express Gen4 | タイプ | V-NAND TLC |
| 設置タイプ | 内蔵 | NVMe | ○ |
| 厚さ | 2.38 mm | 1GBあたりの価格 | |
| パフォーマンス | |||
| 読込速度 | 5000 MB/s | 書込速度 | 4200 MB/s |
| ランダム読込速度 | ランダム(QD1 Thread1)読み出し：20,000 IOPS|ランダム(QD32 Thread16)読み出し：700,000 IOPS | ランダム書込速度 | ランダム(QD1 Thread1)書き込み：90,000 IOPS|ランダム(QD32 Thread16)書き込み：800,000 IOPS |
| 耐久性 | |||
| MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | TBW | 1200 TBW |
| DWPD | 0.32 | ||
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