商品説明
SAMSUNG製 SSD 990 PRO MZ-V9P2T0B-IT/EC 2TB
■型番■
990 PRO MZ-V9P2T0B-IT/EC
■仕様■
[スペック]
容量 2000 GB
規格サイズ M.2 (Type2280)
インターフェイス PCI-Express Gen4
タイプ V-NAND TLC
設置タイプ 内蔵
NVMe ○
厚さ 2.3 mm
[パフォーマンス]
読込速度 7450 MB/s
書込速度 6900 MB/s
ランダム読込速度 ランダム(QD1 Thread1)読み出し:22000 IOPS/ランダム(QD32 Thread16)読み出し:1400000 IOPS
ランダム書込速度 ランダム(QD1 Thread1)書き込み:80000 IOPS/ランダム(QD32 Thread16)書き込み:1550000 IOPS
[耐久性]
MTBF(平均故障間隔) 150万時間
TBW 1200 TBW
DWPD 0.32
■商品状態■
新品未開封
■商品情報URL■
サムスン(SAMSUNG)
■その他■
※商品の画像はイメージです。
その他たくさんの魅力ある商品を出品しております。ぜひ、見て行ってください。
商品詳細
メーカー | サムスン | 商品名 | SAMSUNG製 SSD 990 PRO MZ-V9P2T0B-IT/EC 2TB |
---|---|---|---|
商品コード | 0001000028121 | SKUコード | 0001000028121 |
スペック
スペック | |||
---|---|---|---|
容量 | 2000 GB | 規格サイズ | M.2 (Type2280) |
インターフェイス | PCI-Express Gen4 | タイプ | V-NAND TLC |
設置タイプ | 内蔵 | NVMe | ○ |
厚さ | 2.3 mm | 1GBあたりの価格 | |
パフォーマンス | |||
読込速度 | 7450 MB/s | 書込速度 | 6900 MB/s |
ランダム読込速度 | ランダム(QD1 Thread1)読み出し:22,000 IOPS|ランダム(QD32 Thread16)読み出し:1,400,000 IOPS | ランダム書込速度 | ランダム(QD1 Thread1)書き込み:80,000 IOPS|ランダム(QD32 Thread16)書き込み:1,550,000 IOPS |
耐久性 | |||
MTBF(平均故障間隔) | 150万時間 | TBW | 1200 TBW |
DWPD | 0.32 |
ご利用の前にお読みください
- ※ 掲載しているすべての情報は万全の保証をいたしかねます。
- ※ ご購入の前にはスペック・付属品・画像など詳細な商品情報を必ず各メーカーでご確認ください。
- ※ 不適切な商品の場合、Kaago運営事務局まで通報ください。
オンラインショップ エクセラーの店舗情報
土日祝日も休まず発送を行っております。